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半导体静态参数测试仪IGBT检测设备
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  • 起订量:1 台
  • 可售数量: 10000 台
  • 支持批量采购
  • 发布时间:2024-11-13 14:25

产地:湖北省 武汉市 东湖高新区 | 归属行业:参数测量仪

品牌:普赛斯仪表

有效期至:长期有效

联系人: 陶女士

联系地址:东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园8栋2楼

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武汉普赛斯仪表有限公司

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  • 所在地:湖北省 武汉市 东湖高新区

普赛斯功率器件静态测试解决方案


   普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476

IGBT测试系统图


  普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。



“双高”系统优势


    高电压、大电流


    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)


    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


    高精度测量


    nA级漏电流, μΩ级导通电阻


    0.1%精度测量


    模块化配置


    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


    测试效率高


    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元


    支持国标全指标的一键测试


    扩展性好


    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具


测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


半导体静态参数测试仪IGBT检测设备就找普赛斯仪表, 详询一八一四零六六三四七六;PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试,并具有优秀的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。


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