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SiC器件参数测试仪功率半导体测试设备
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  • ¥: 1000.00元/台
  • 起订量:1 台
  • 可售数量: 10000 台
  • 支持批量采购
  • 发布时间:2024-11-07 14:06

产地:湖北省 武汉市 东湖高新区 | 归属行业:电子元件参数测试仪器

品牌:普赛斯仪表

有效期至:长期有效

联系人: 陶女士

联系地址:东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园8栋2楼

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武汉普赛斯仪表有限公司

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  • 集电极-发射极 最大电压:3500V
  • 集电极-发射极 最大电流:6000A
  • 漏电流测试范围:1nA~100mA
  • 供货总量:10000 台
  • 发货期限: 自买家付款之日起 30 天内发货
  • 所在地:湖北省 武汉市 东湖高新区

SiC器件参数测试仪功率半导体测试设备认准武汉生产厂家普赛斯仪表,详询18140663476;普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于广泛应用于半导体测试行业;本功率器件静态参数测试系统可以完成多项参数测试,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

功率器件静态测试系统简介 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。


系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,蕞大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;蕞高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率蕞高支持1MHz。

 

系统特点

高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);                  
大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);
高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;

 

系统参数

项目

参数

集电极-发射极

Z大电压

3500V

Z大电流

6000A

精度

±0.1%

大电压上升沿

典型值5ms

大电流上升沿

典型值15us

大电流脉宽

50us~500us

漏电流测试量程

1nA~100mA

栅极-发射极

Z大电压

300V

Z大电流

1A(直流)/10A(脉冲)

精度

±0.05%

Z小电压分辨率

30uV

Z小电流分辨率

10pA

电容测试

典型精度

±0.5%

频率范围

10Hz~1MHz

电容值范围

0.01pF~9.9999F

温控

范围

25℃~200℃

精度

±1℃

 

测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


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陶女士

   
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