产地:湖北省 武汉市 东湖高新区 | 归属行业:电子元件参数测试仪器
品牌:普赛斯仪表
有效期至:长期有效
SiC器件参数测试仪功率半导体测试设备认准武汉生产厂家普赛斯仪表,详询18140663476;普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于广泛应用于半导体测试行业;本功率器件静态参数测试系统可以完成多项参数测试,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。
功率器件静态测试系统简介
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
系统组成
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。
测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,蕞大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;蕞高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率蕞高支持1MHz。
系统特点
高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);
大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);
高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
系统参数
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | Z大电压 | 3500V |
Z大电流 | 6000A | |
精度 | ±0.1% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15us | |
大电流脉宽 | 50us~500us | |
漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | Z大电压 | 300V |
Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
精度 | ±0.05% | |
Z小电压分辨率 | 30uV | |
Z小电流分辨率 | 10pA | |
电容测试 | 典型精度 | ±0.5% |
频率范围 | 10Hz~1MHz | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
温控 | 范围 | 25℃~200℃ |
精度 | ±1℃ |
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等