产地:湖北省 武汉市 东湖高新区 | 归属行业:参数测试仪器
品牌:普赛斯仪表
有效期至:长期有效
普赛斯HCPL100型电流响应时间测试脉冲电源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(15us)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。
设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。
产品特点 50μs-500μs的脉冲宽度连续可调 15μs超快上升沿(典型时间) 两路同步测量电压0.3mV-18V 0.1%测试精度 单台5A-1000A程控输出,可多台并联蕞高达6000A 支持过流保护、异常开路保护 可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥 可适用于大电流传感器(阶跃)响应时间测试 技术指标 DUT电压测量 0~3V量程,精度0.1%±3mV DUT电压测量 0~18V量程,精度0.1%±8mV
电流脉宽 50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间 典型时间15us
输出脉冲电流 5 ~1000A量程,精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量 2独立通道
DUT电压测量 远端测量,峰值电压测量(取样点可配置)
DUT电压测量 0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流,如3000A
支持输出极性反转
触发信号 支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸:长516x宽250x高160mm
应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
目前,武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围,并在多个领域展现出绝对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面,我司在8000V、1000A以上量程及测试性能均处于绝对优势地位。此外,在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场,普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。