IGBT模块测试设备静态参数测试机

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IGBT一种是功率半导体器件，用于电力转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”。融合了BJT和MOSFET的性能优势，具有高耐压，大电流，低导通损耗等特点。
随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，器件耐压值由600V升至7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电，以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。普赛斯IGBT模块测试设备静态参数测试机集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3.5KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；                               

IGBT简介：

IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成，兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点，IGBT是电力电子设备的“cpu”，被**列为重点研究对象。

IGBT测试难点：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。

功率器件静态测试系统简介 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法       灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA级漏电流；集电极-发射极，蕞大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；蕞高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率蕞高支持1MHz。

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；              
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

IGBT模块测试设备静态参数测试机联系我们：

单位名称：武汉普赛斯仪表有限公司

网站：http://www.whpssins.com

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