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半导体IGBT双脉冲测试分析实验室
- ￥: 188.00元/台
- 起订量：1 台
- 可售数量: 1000 台
- 支持批量采购
- 发布时间：2024-05-08 16:48
产地：陕西省 西安市 雁塔区 | 归属行业：参数测试仪器
品牌：长禾实验室
有效期至：长期有效
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- 品牌：长禾实验室
- 产地：陕西西安
- 测试器件：IGBT
- 供货总量：1000 台
- 发货期限： 自买家付款之日起 3 天内发货
- 所在地：陕西省 西安市 雁塔区
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是**CNAS 认可实验室，属于**大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有**的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
| 长禾实验室检测能力范围 | |||||
| 1 | 功率金属氧化物场效应管 | 1 | 漏源间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||||
| 2 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测： 0～10kΩ,,0～1500A | ||
| 3 | 阈值电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 | 只测： -10V～10V | ||
| 4 | 漏极反向电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只测： -100mA～100mA | ||
| 5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测： -100mA～101mA | ||
| 6 | 体二极管压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测： 0A～1500A | ||
| 7 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测： 1ms～1000s | ||
| 8 | 开关时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | ||
| 9 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 | 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | |||
| 10 | 体二极管反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 10ns～2µs | ||
| 11 | 体二极管反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 1nC～100µC | ||
| 12 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只测： Qg：0.5nC～500nC | ||
| 13 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A | ||
| 14 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测： 0.1Ω～50Ω | ||
| 15 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只测： Ph：0.1W～250W | ||
| 16 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 | 只测： Ph：0.1W～250W | |||
| 17 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 18 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 19 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 20 | 老炼试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃ | ||
| 21 | 温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 | 只测： HTRB和HTGB试验 | |||
| 22 | 间歇功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测： 条件D（间歇功率） | ||
| 23 | 稳态功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测： 条件C（稳态功率） | ||
| 2 | 二极管 | 1 | 反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4 | 只测： 0～100mA |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016 | 只测： 0～100mA | ||||
| 2 | 反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2 | 只测： 0～3.5kV | ||
| 3 | 正向压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测： IS：0A～6000A | ||
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011 | 只测： IS：0A～6000A | ||||
| 4 | 浪涌电流 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066 | 只测： If：0A～9000A | ||
| 5 | 反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 1nC～100µC | ||
| 反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 10ns～2us | |||
| 6 | 二极管反压变化率 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476 | 只测： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A | ||
| 7 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064 | 只测： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A | ||
| 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136 | 只测： Ph：0.1W～80W | |||
| 8 | 总电容电荷 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 9 | 结电容 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 3 | 晶闸管 | 1 | 门极触发电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只测： 100nA～500mA |
| 2 | 门极触发电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只测： 5mV～5V | ||
| 3 | 维持电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只测： 10µA～1.5A | ||
| 4 | 擎住电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只测： 10µA～1.5A | ||
| 5 | 浪涌电流 | 半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013 | 只测： ITSM：0A～9000A | ||
| 6 | 正向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1 | 只测： 1nA～100mA | ||
| 7 | 反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1 | 只测： 1nA～100mA | ||
| 8 | 正向导通压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1 | 只测： IT：0～6000A | ||
| 9 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181 | 只测： Ph：0.1W～250W | ||
| 4 | 晶体管 | 1 | 直流增益 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1 | 只测： 1～50000 |
| 2 | 集射极饱和压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071 | 只测： 0～1250A | ||
| 3 | 集射电极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1 | 只测： 0～100mA | ||
| 4 | 集基电极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1 | 只测： 0～100mA | ||
| 5 | 射基极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1 | 只测： 0～100mA | ||
| 6 | 集射极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||||
| 7 | 集基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||
| 8 | 射基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||
| 9 | 基射极电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1 | 只测： 0V～1250A | ||
| 10 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6 | 只测： Ph：0.1W～250W | ||
| 5 | 绝缘栅双极型晶体管 | 1 | 集射间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||||
| 2 | 通态电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1 | 只测： 0～1500A | ||
| 3 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测： 0～10kΩ | ||
| 4 | 集电极反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只测： 0～100mA | ||
| 5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测： 0～100mA | ||
| 6 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测： 1ms～1000s | ||
| 7 | 开关时间&损耗 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1 | 只测： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A | ||
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12 | 只测： 5V～3.3kV | ||||
| 8 | 短路耐受时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479 | 只测： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us | ||
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6 | 只测： 5V～3.3kV | ||||
| 9 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只测： Qg：0.5nC～100uC | ||
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9 | 只测： 5V～3.3kV | ||||
| 10 | 二极管反向恢复时间 | 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.6 | 只测： 5V～3.3kV | ||
| 11 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A | ||
| 12 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测： 0.1Ω～50Ω | ||
| 13 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103 | 只测： Ph：0.1W～250W | ||
| 16 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 17 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 18 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 19 | 较大反偏安全工作区 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5 | 只测： 5V～3.3kV | ||
| 6 | 通用电子产品 | 1 | 高低温循环试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051 | 只测： 温度： -80℃～150℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm |
| 温度循环 JESD22-A104E:2014 | 只测： 温度： -80℃～150℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm | ||||
| 2 | 高温试验 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1 | 只测： 较高温度：200℃， 容积： 61cm×90cm×60cm | ||
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1031, 1032 | 只测： 较高温度：200℃， 容积： 61cm×90cm×60cm | ||||
| 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温 GB/T 2423.2-2008 | 只测： 较高温度：200℃， 容积： 61cm×90cm×60cm | ||||
| 3 | 低温试验 | 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温 GB/T 2423.1-2008 | 只测： 较低温度：-70℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm | ||
| 4 | 高温存储寿命试验 | 高温存储寿命试验 JESD22-A103E:2015 | 只测： 较高温度：180℃， 容积： 58cm×76cm×75cm | ||
| 5 | 低温存储寿命试验 | 低温存储寿命试验 JESD22-A119A:2015 | 只测： 较低温度：-70℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm | ||
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